IGBT（绝缘栅双极晶体管）

功率器件

MOSFET：超结MOSFET（500V-1700V）、高压平面MOSFET、碳化硅MOSFET、中低压沟槽MOSFET、SGT MOSFET（12V-200V），覆盖宽电压与封装谱系（TO247/TOLL/DFN/TO220等）。

SiC MOSFET：碳化硅器件，适配高功率密度、高频高效场景，面向新能源汽车与光伏逆变。

功率二极管：整流桥、快恢复/超高效/超快恢复二极管、SiC肖特基二极管，满足不同效率与反向恢复需求。

保护器件

TVS二极管：用于防静电（ESD）和浪涌保护，保护端口和电路。

ESD保护器件：针对高速接口（如USB、HDMI）的静电防护。

优势：响应速度快、体积小，适合消费电子和通信设备。

典型的产品型号

肖特基 小信号：BAT54、BAS40、BAS70、5819、 SD103A 小功率：SS3XXF、SS5xxA、SS5xxB、SS10xxC 大功率：SSP10100D、SSP20150C、SSP30150C、SSP10150C、SST10100D、SST20150C、SSP0565D 二三极管 三极管：3904、3906、5658、9014、9015、8050、8550、847、857 稳压管：BZT52;MMSZ52;MMSZ4...等系列 快恢复：TO-252、TO-220、TO-263、 SOD123FL、SMA、SMB、SMC 开关管：BAV99、1N4148、914、BAV70、BAV19、BAV20、BAV21、BAV23 整流桥：MB10F、 MB10S、GBP20/30/40、GBU15/25/40/60/80、GBJ20/25/35/50